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SA36, SA283Gr.C, SA285Gr.C, SA516Gr.60/Gr.415, SA516Gr.65/Gr.450, SA516Gr.70/Gr.485 und SA537Cl.1, SA516Gr.70/Gr.485 nach NACE MR0175/ ISO 15156-2: 2015, SA387Gr.12Cl.2, SA387Gr.11Cl.2, SA387Gr.22Cl.2 Stähle gem. ASTM/ASME-Norm / Güte / Stahlsorte Güten Dicken (mm) Breiten (mm) Längen (mm) Prüfbescheinigungen nach DIN EN 10204 SA 36 3 – 110 1.000 – 3.500 bis 16.000 3.1 SA283Gr.C* 4 – 30 1.000 – 3.500 bis 16.000 3.1 SA285Gr.C* 4 – 30 1.000 – 3.500 bis 16.000 3.1 SA516Gr.60/Gr.415 3 – 270 1.000 – 4.000 bis 16.000 3.1 SA516Gr.65/Gr.450* 3 – 250 1.000 – 4.000 bis 16.000 3.1 SA516Gr.70/Gr.485* 3 – 250 1.000 – 4.000 bis 16.000 3.2 LR, 3.1 SA537Cl.1 4 – 200 1.000 – 4.000 bis 16.000 3.1 SA387Gr.12Cl.2* 3 – 200 1.000 – 3.000 bis 12.000 3.1 SA387Gr.11Cl.2* 5 – 80 1.000 – 3.000 bis 12.000 3.1 SA387Gr.22Cl.2* 4 – 100 1.000 – 3.000 bis 12.000 3.1 SA387Gr.5Cl.2* 6 – 80 1.000 – 3.000 bis 12.000 3.2 TüV

Der kapazitive Ultraschallwandler (c-MUT) von microfab ist ein relativ neues Konzept auf dem Gebiet der Ultraschallwandler. Die meisten kommerziellen Ultraschallwandler basieren heutzutage auf einem piezoelektrischem Wirkprinzip. Aktuelle c-muts werden unter Verwendung von Oberflächenmikromechanik auf Silizium gefertigt. Eine Kavität ist in einem Siliziumsubstrat ausgebildet, und eine dünne Schicht, die über dem Hohlraum gespannt ist, dient als Membran, auf der eine leitende Schicht als obere Elektrode zusammen mit dem Siliziumsubstrat als untere Elektrode wirkt. Da c-MUTs mikrobearbeitete Bauelemente sind, ist es mit dieser Technologie einfacher, 2D-Arrays von Wandlern zu konstruieren. Dies bedeutet, dass eine große Anzahl von c-MUTs in einem Wandlerarray enthalten sein könnte, das zudem im Vergleich zu anderen Wandlertechnologien eine deutlich größere Bandbreite bietet. Ein Hochfrequenzbetrieb mit c-MUTs ist aufgrund seiner kleineren Abmessungen einfacher. Die Betriebsfrequenz hängt von der Zellgröße, der Höhe der Kavität und von der Steifheit des als Membran verwendeten Materials ab.